Антава

ONSEMI

Транзистор FDC6310P

FDC6310P
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-2.2 A
Power dissipation
0.96 W
Корпус
SuperSOT-6
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC6310P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-2.2 A
Power dissipation0.96 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance184 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6

Документация

Документы пока не предоставлены.