Антава

ONSEMI

Транзистор FDC6306P

FDC6306P
Type of transistor
P-MOSFET x2
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.9 A
Power dissipation
0.96 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC6306P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET x2
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.9 A
Power dissipation0.96 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.27 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.9A; 0.96W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителя