Антава

ONSEMI

Транзистор FDC6305N

FDC6305N
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
2.7 A
Power dissipation
0.96 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 167 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%184,95 ₽

Сумма · с НДС 22%184,95 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1184,95 ₽
от 5139,95 ₽
от 10119,36 ₽
от 5081,03 ₽
от 10069,02 ₽
от 50060,25 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDC6305N
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current2.7 A
Power dissipation0.96 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance128 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителя