Антава

ONSEMI

Транзистор FDC6303N

FDC6303N
Channel Type
N Channel
Drain Source On State Resistance N Channel
0.45
Рабочая температура, макс.
150 °C
Continuous Drain Current Id N Channel
680 mA
Drain Source Voltage Vds N Channel
25 V
Transistor Case Style
SuperSOT
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 620 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%135,25 ₽

Сумма · с НДС 22%135,25 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1135,25 ₽
от 1076,10 ₽
от 5060,59 ₽
от 10054,82 ₽
от 50042,56 ₽
от 100037,69 ₽
от 300035,53 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDC6303N
ПроизводительONSEMI
Channel TypeN Channel
Соответствие RoHSДа
Drain Source On State Resistance N Channel0.45
RoHS: фталатыДа
Рабочая температура, макс.150 °C
Уровень влагочувствительностиMSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id N Channel680 mA
Вещества SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel25 V
Transistor Case StyleSuperSOT
Количество выводов6
Power Dissipation N Channel900 W
Исходное описание поставщика

ONSEMI - FDC6303N - Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm

Документация

Документ производителяДокумент производителя