Антава

ONSEMI

Транзистор FDC6301N

FDC6301N
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
0.22 A
Power dissipation
0.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC6301N
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current0.22 A
Power dissipation0.9 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±0.5 V, ±8 V
On-state resistance9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителя