Антава

ONSEMI

Транзистор FDC610PZ

FDC610PZ
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-4.9 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC610PZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-4.9 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителя