Антава

ONSEMI

Транзистор FDC608PZ

FDC608PZ
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-5.8 A
Рассеиваемая мощность
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 828 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%130,90 ₽

Сумма · с НДС 22%130,90 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1130,90 ₽
от 1079,44 ₽
от 5057,56 ₽
от 10051,29 ₽
от 25044,11 ₽
от 50042,50 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDC608PZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-5.8 A
Рассеиваемая мощность1.6 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance43 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителяДокумент производителя