Антава

ONSEMI

Транзистор FDC606P

FDC606P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12 V
Drain current
-6 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDC606P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12 V
Drain current-6 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance53 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6

Документация

Документ производителя