ONSEMI
Транзистор FDC602P
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -5.5 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.6 W
- Корпус
- SuperSOT-6
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 760 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%190,08 ₽
Сумма · с НДС 22%190,08 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 190,08 ₽ | |
| от 5 | 142,38 ₽ | |
| от 10 | 122,83 ₽ | |
| от 50 | 87,87 ₽ | |
| от 100 | 76,75 ₽ | |
| от 500 | 58,10 ₽ | |
| от 1000 | 53,08 ₽ | |
| от 1500 | 52,36 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FDC602P |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -5.5 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.6 W |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 53 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.