ONSEMI
Транзистор FDC5614P
- Channel Type
- P Channel
- Rds(on) Test Voltage
- 10 V
- Drain Source On State Resistance
- 0.105 Ω
- Continuous Drain Current Id
- 3 A
- Рабочая температура, макс.
- 150 °C
- Transistor Mounting
- Поверхностный монтаж
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 547 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%158,69 ₽
Сумма · с НДС 22%158,69 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 158,69 ₽ | |
| от 5 | 111,45 ₽ | |
| от 10 | 96,48 ₽ | |
| от 50 | 73,58 ₽ | |
| от 100 | 67,62 ₽ | |
| от 500 | 58,79 ₽ | |
| от 1000 | 55,18 ₽ | |
| от 3000 | 51,03 ₽ | |
| от 6000 | 49,05 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FDC5614P |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Channel Type | P Channel |
| Соответствие RoHS | Да |
| RoHS: фталаты | Да |
| Rds(on) Test Voltage | 10 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.105 Ω |
| Continuous Drain Current Id | 3 A |
| Рабочая температура, макс. | 150 °C |
| Transistor Mounting | Поверхностный монтаж |
| Рассеиваемая мощность | 1.6 W |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.6 V |
| Вещества SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Drain Source Voltage Vds | 60 V |
| Transistor Case Style | SuperSOT |
| Количество выводов | 6 |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
ONSEMI - FDC5614P - Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Документация
ДаташитДаташитКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.