Антава

ONSEMI

Транзистор FDC3601N

FDC3601N
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
1 A
Power dissipation
0.96 W
Корпус
SuperSOT-6

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 579 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%192,41 ₽

Сумма · с НДС 22%192,41 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1192,41 ₽
от 10108,28 ₽
от 5087,72 ₽
от 10079,23 ₽
от 25068,10 ₽
от 50059,42 ₽
от 100053,20 ₽
от 300051,31 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDC3601N
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current1 A
Power dissipation0.96 W
КорпусSuperSOT-6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance976 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6

Документация

Документы пока не предоставлены.