Антава

ONSEMI

Транзистор FDBL86066-F085

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
185 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Корпус
H-PSOF8L
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDBL86066-F085
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current185 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусH-PSOF8L
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; 300W; H-PSOF8L

Документация

Документы пока не предоставлены.