Антава

ONSEMI

Транзистор FDBL0630N150

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150V
Drain current
169A
Power dissipation
500W
Корпус
H-PSOF8L
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDBL0630N150
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150V
Drain current169A
Power dissipation500W
КорпусH-PSOF8L
Gate-source voltage±20V
On-state resistance17.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge90nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L

Документация

Документы пока не предоставлены.