Антава

ONSEMI

Транзистор FDBL0260N100

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
200A
Pulsed drain current
1kA
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDBL0260N100
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current200A
Pulsed drain current1kA
Power dissipation250W
КорпусH-PSOF8L
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.6mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge83nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W

Документация

Документы пока не предоставлены.