Антава

ONSEMI

Транзистор FDBL0240N100

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
210 A
Pulsed drain current
910 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDBL0240N100
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current210 A
Pulsed drain current910 A
Power dissipation300 W
КорпусH-PSOF8L
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge79nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W

Документация

Документы пока не предоставлены.