Антава

ONSEMI

Транзистор FDBL0210N80

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
240A
Power dissipation
357W
Корпус
H-PSOF8L
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDBL0210N80
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current240A
Power dissipation357W
КорпусH-PSOF8L
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L

Документация

Документы пока не предоставлены.