Антава

ONSEMI

Транзистор FDBL0150N80

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
300A
Power dissipation
429W
Корпус
H-PSOF8L
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDBL0150N80
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current300A
Power dissipation429W
КорпусH-PSOF8L
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge172nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 429W; H-PSOF8L

Документация

Документы пока не предоставлены.