Антава

ONSEMI

Транзистор FDBL0110N60

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
300 A
Power dissipation
429 W
Корпус
H-PSOF8L
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDBL0110N60
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current300 A
Power dissipation429 W
КорпусH-PSOF8L
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge170nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L

Документация

Документы пока не предоставлены.