Антава

ONSEMI

Транзистор FDB86135

FDB86135
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
176 A
Pulsed drain current
704 A
Power dissipation
227 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDB86135
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current176 A
Pulsed drain current704 A
Power dissipation227 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge89nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 176A; Idm: 704A; 227W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.