Антава

ONSEMI

Транзистор FDB86102LZ

FDB86102LZ
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
UniFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB86102LZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyUniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current30 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation3.1 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance42 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.