Антава

ONSEMI

Транзистор FDB5800

FDB5800
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
80 A
Power dissipation
242 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB5800
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current80 A
Power dissipation242 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge135nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK

Документация

Документ производителя