Антава

ONSEMI

Транзистор FDB38N30U

FDB38N30U
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300V
Drain current
38A
Pulsed drain current
152A
Power dissipation
313W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB38N30U
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300V
Drain current38A
Pulsed drain current152A
Power dissipation313W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.12Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; Idm: 152A; 313W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.