Антава

ONSEMI

Транзистор FDB3682

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
32A
Power dissipation
95W
Корпус
D2PAK-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB3682
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current32A
Power dissipation95W
КорпусD2PAK-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance36mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; D2PAK-3

Документация

Документы пока не предоставлены.