Антава

ONSEMI

Транзистор FDB3632

FDB3632
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
80A
Power dissipation
310W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB3632
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current80A
Power dissipation310W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance22mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge110nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK

Документация

Документ производителя