Антава

ONSEMI

Транзистор FDB33N25TM

FDB33N25TM
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
UniFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250V
Drain current
33A
Power dissipation
235W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB33N25TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyUniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250V
Drain current33A
Power dissipation235W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance94mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge48nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK

Документация

Документ производителя