Антава

ONSEMI

Транзистор FDB28N30TM

FDB28N30TM
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
UniFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300V
Drain current
28A
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB28N30TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyUniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300V
Drain current28A
Power dissipation250W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.129Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK

Документация

Документ производителя