Антава

ONSEMI

Транзистор FDB2614

FDB2614
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
62A
Power dissipation
260W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB2614
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current62A
Power dissipation260W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance27mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge99nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK

Документация

Документ производителя