Антава

ONSEMI

Транзистор FDB2572

FDB2572
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
29 A
Power dissipation
135 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB2572
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current29 A
Power dissipation135 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance146 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 29A; 135W; D2PAK

Документация

Документ производителя