Антава

ONSEMI

Транзистор FDB2532

FDB2532
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
56 A
Рассеиваемая мощность
310 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 73 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%807,89 ₽

Сумма · с НДС 22%807,89 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1807,89 ₽
от 10632,97 ₽
от 25550,01 ₽
от 40528,37 ₽
от 50521,16 ₽
от 800486,90 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDB2532
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current56 A
Рассеиваемая мощность310 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance14 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge82nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK

Документация

Документ производителя