Антава

ONSEMI

Транзистор FDB20N50F

FDB20N50F
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
UniFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
12.9 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB20N50F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyUniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current12.9 A
Power dissipation250 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.26 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.