Антава

ONSEMI

Транзистор FDB1D7N10CL7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
268 A
Pulsed drain current
1390 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB1D7N10CL7
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current268 A
Pulsed drain current1390 A
Power dissipation250 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge116nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 268A; Idm: 1390A; 250W

Документация

Документы пока не предоставлены.