ONSEMI

Транзистор FDB13AN06A0

FDB13AN06A0

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 62 A
Power dissipation: 115 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	FDB13AN06A0
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	PowerTrench®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	62 A
Power dissipation	115 W
Корпус	D2PAK
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	34 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	29nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK

Документация

Документ производителя