Антава

ONSEMI

Транзистор FDB12N50TM

FDB12N50TM
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
DMOS, UniFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
6.9A
Pulsed drain current
46A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB12N50TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyDMOS, UniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current6.9A
Pulsed drain current46A
Power dissipation165W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.65Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.