Антава

ONSEMI

Транзистор FDB075N15A

FDB075N15A
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
130 A
Pulsed drain current
522 A
Power dissipation
333 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB075N15A
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current130 A
Pulsed drain current522 A
Power dissipation333 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge77nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; Idm: 522A; 333W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.