Антава

ONSEMI

Транзистор FDB070AN06A0

FDB070AN06A0
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
80 A
Power dissipation
175 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB070AN06A0
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current80 A
Power dissipation175 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge66nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK

Документация

Документ производителя