Антава

ONSEMI

Транзистор FDB047N10

FDB047N10
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
164A
Pulsed drain current
656A
Power dissipation
375W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB047N10
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current164A
Pulsed drain current656A
Power dissipation375W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.21µC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.