Антава

ONSEMI

Транзистор FDB035N10A

FDB035N10A
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
856 A
Power dissipation
333 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDB035N10A
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current120 A
Pulsed drain current856 A
Power dissipation333 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge116nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.