ONSEMI

Транзистор FDB0165N807L

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 310 A
Pulsed drain current: 1780 A
Power dissipation: 300 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	FDB0165N807L
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	310 A
Pulsed drain current	1780 A
Power dissipation	300 W
Корпус	D2PAK-7
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	1.6 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	217nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 310A; Idm: 1780A; 300W; D2PAK-7

Документация

Документы пока не предоставлены.