Антава

ONSEMI

Транзистор FDA59N30

FDA59N30
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
35 A
Pulsed drain current
236 A
Power dissipation
500 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDA59N30
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current35 A
Pulsed drain current236 A
Power dissipation500 W
КорпусTO3PN
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance56 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.1µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN

Документация

Документы пока не предоставлены.