Антава

ONSEMI

Транзистор FDA38N30

FDA38N30
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
DMOS, UniFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300V
Drain current
22A
Pulsed drain current
150A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDA38N30
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyDMOS, UniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300V
Drain current22A
Pulsed drain current150A
Power dissipation312W
КорпусTO3PN
Gate-source voltage±30V
On-state resistance85mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN

Документация

Документы пока не предоставлены.