ONSEMI
Транзистор FDA28N50
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- DMOS, UniFET™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 500 V
- Drain current
- 17 A
- Pulsed drain current
- 112 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 72 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%771,24 ₽
Сумма · с НДС 22%771,24 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 771,24 ₽ | |
| от 10 | 628,88 ₽ | |
| от 30 | 564,01 ₽ | |
| от 60 | 545,99 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FDA28N50 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | DMOS, UniFET™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 500 V |
| Drain current | 17 A |
| Pulsed drain current | 112 A |
| Рассеиваемая мощность | 310 W |
| Корпус | TO3PN |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 155 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 105nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.