Антава

ONSEMI

Транзистор FDA16N50-F109

FDA16N50-F109
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
UniFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
9.9 A
Pulsed drain current
66 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDA16N50-F109
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияUniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current9.9 A
Pulsed drain current66 A
Рассеиваемая мощность205 W
КорпусTO3PN
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge45nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; Idm: 66A; 205W; TO3PN

Документация

Документ производителя