Антава

INFINEON

Транзистор FD250R65KE3KNOSA1

Type of semiconductor module
IGBT
Gate-emitter voltage
±20 V
Рассеиваемая мощность
4.8 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFD250R65KE3KNOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Gate-emitter voltage±20 V
Рассеиваемая мощность4.8 kW
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; 4.8kW

Документация

Документы пока не предоставлены.