INFINEON
Транзистор FD1200R17HP4KB2BOSA2
AG-IHVB130-3Изображение корпуса
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Max. off-state voltage
- 1.7 kV
- Collector current
- 1.2kA
- Корпус
- AG-IHVB130-3
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
- Pulsed collector current
- 1.2kA
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%211 024,52 ₽
Сумма · с НДС 22%211 024,52 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 211 024,52 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FD1200R17HP4KB2BOSA2 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Max. off-state voltage | 1.7 kV |
| Collector current | 1.2kA |
| Корпус | AG-IHVB130-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 1.2kA |
| Рассеиваемая мощность | 6.5 kW |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; Urmax: 1.7kV; Ic: 1.2kA; AG-IHVB130-3; 6.5kW
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.