Антава

INFINEON

Транзистор FD1200R17HP4KB2BOSA2

Type of semiconductor module
IGBT
Max. off-state voltage
1.7 kV
Collector current
1.2kA
Корпус
AG-IHVB130-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Pulsed collector current
1.2kA
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFD1200R17HP4KB2BOSA2
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Max. off-state voltage1.7 kV
Collector current1.2kA
КорпусAG-IHVB130-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.2kA
Power dissipation6.5 kW
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; Urmax: 1.7kV; Ic: 1.2kA; AG-IHVB130-3; 6.5kW

Документация

Документы пока не предоставлены.