Антава

ONSEMI

Транзистор FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0
Channel Type
N Channel
Серия
SuperFET III
Rds(on) Test Voltage
10 V
Drain Source On State Resistance
0.6 Ω
Continuous Drain Current Id
6 A
Рабочая температура, макс.
150 °C
Цены и наличиеОткрыть даташитВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFCU600N65S3R0
ПроизводительONSEMI
Channel TypeN Channel
Соответствие RoHSY-EX
СерияSuperFET III
RoHS: фталатыДа
Rds(on) Test Voltage10 V
Drain Source On State Resistance0.6 Ω
Continuous Drain Current Id6 A
Рабочая температура, макс.150 °C
Transistor MountingThrough Hole
Рассеиваемая мощность54 W
Gate Source Threshold Voltage Max4.5 V
Вещества SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds650 V
Transistor Case StyleTO-251
Количество выводов3
Исходное описание поставщика

ONSEMI - FCU600N65S3R0 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-251, Through Hole

Документация

Technical Data Sheet (290.57KB) EN