Антава

ONSEMI

Транзистор FCPF650N80Z

FCPF650N80Z
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
24 A
Power dissipation
30.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCPF650N80Z
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current10 A
Pulsed drain current24 A
Power dissipation30.5 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.65 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge27nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 24A; 30.5W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.