Антава

ONSEMI

Транзистор FCPF360N65S3R0L-F154

FCPF360N65S3R0L-F154
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
N
Drain-source voltage
650 V
Drain current
10 A
Рассеиваемая мощность
27 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяFCPF360N65S3R0L-F154
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
PolarisationN
Drain-source voltage650 V
Drain current10 A
Рассеиваемая мощность27 W
КорпусTO220
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.36 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge18nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 10A; 27W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.