Антава

ONSEMI

Транзистор FCPF2250N80Z

FCPF2250N80Z
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.5 A
Pulsed drain current
6.5 A
Power dissipation
21.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCPF2250N80Z
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.5 A
Pulsed drain current6.5 A
Power dissipation21.9 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.25 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge11nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.5A; Idm: 6.5A; 21.9W

Документация

Документы пока не предоставлены.