Антава

ONSEMI

Транзистор FCPF11N60T

FCPF11N60T
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SJ-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
7A
Pulsed drain current
33A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFCPF11N60T
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySJ-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current7A
Pulsed drain current33A
Power dissipation36W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.38Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 36W

Документация

Документы пока не предоставлены.